先进封装 (AP) 是指封装集成电路 (IC) 以提高性能的多种创新技术。与传统封装相比，它具有高集成度、工艺方法更加多元以及更优的导电和散热性能等优点。

先进封装的结构大致包括：倒装芯片（Flip-Chip，FC）、2.5D封装与3D封装、晶圆级封装（Wafer Level Package，WLP）、系统级封装（SiP）、Chiplet。

先进封装的工艺大致含有：Bump（凸块）工艺、RDL（重布线层）工艺、TSV（硅通孔）工艺。

一、先进封装结构

▌倒装芯片I Flip chip

在传统封装技术中，芯片被封装在底部，并顺利获得金线连接到封装基板上。而倒装芯片技术则将芯片直接翻转并安装在封装基板上，然后使用微小的焊点或导电胶水进行连接。这种封装技术具有较高的信号密度、较小的体积、高速传输和良好的热传导性能，因此在半导体行业得到了广泛应用。

▌2.5D封装与3D封装

2.5D封装：采用硅或重分布层 (RDL) 扇出的中介层被用于在SoC的裸片之间路由信号；3D封装：采用混合键合或以上技术的某种组合来实现芯片的垂直堆叠。

2.5D/3D堆叠封装涉及垂直堆叠多个裸片或芯片，形成三维结构。该平台可实现更高的集成度、更高的性能和更小的外形尺寸，使其成为应对人工智能、5G和 HPC应用挑战的重要技术。

▌晶圆级封装

晶圆级封装是在切割晶圆成单个芯片之前，在整个晶圆上进行封装过程。晶圆级封装分为扇入型晶圆级芯片封装（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圆级芯片封装（Fan-Out WLCSP），其特点是在整个封装过程中，晶圆始终保持完整。

▌系统级封装（SiP）

系统级封装（SiP）技术是顺利获得将多个裸片（Die）及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。在后摩尔时代，系统级封装（SiP）技术可以帮助芯片成品增加集成度、减小体积并降低功耗。

来源：长电科技

▌Chiplet

Chiplet是一种集成电路设计和封装方法，它将一个芯片（称为主芯片）与多个辅助芯片（称为chiplet）集成在一起，以形成一个功能完整的系统。Chiplet技术的出现是为分析决集成电路尺寸和复杂性不断增加所带来的挑战，提高系统集成度、性能和灵活性。

二、先进封装工艺

▌Bump（凸块）工艺

凸块制造技术（Bumping）是在芯片上制作凸块，顺利获得在芯片表面制作金属凸块给予芯片电气互连的“点”接口，广泛应用于FC、WLP、CSP、3D等先进封装。Bumping工艺介于产业链前道集成电路制造和后道封装测试之间，是先进封装的核心技术之一。

▌RDL（重布线层）工艺

RDL是指重新布线的行为。该工艺的目的是顺利获得添加额外的金属层来重新排列晶圆上已经形成的键合垫。RDL技术是一种晶圆级工艺，只重新配置焊盘，经过RDL的晶圆要经过传统的封装工艺来完成封装。下图显示了使用RDL技术将衬垫重新分配到边缘的中心衬垫芯片的示意图和横截面结构。

▌TSV（硅通孔）工艺

硅通孔是一种顺利获得在硅片上钻孔来容纳电极的芯片堆叠技术。硅通孔封装的主要优势在于性能优越且封装尺寸较小。相比采用传统引线方法实现芯片与芯片互连或芯片与基板互连，硅通孔顺利获得在芯片上钻孔并填充金属等导电材料来实现芯片垂直互连。

使用硅通孔技术的芯片剖面图（ⓒ HANOL出版社）

免责申明：本文内容转自：微信公众号“半导体封装工程师之家”。文字、素材、图片版权等内容属于原作者，本站转载内容仅供大家分享学习。如果侵害了原著作人的合法权益，请及时与我们联系，我们会安排删除相关内容。本文内容为原作者观点，并不代表我们赞同其观点和（或）对其真实性负责。

金锡焊球，Solder Preform，芯片封装焊片供应商，芯片封装焊片生产厂家，低温合金预成形焊片，Eutectic Solder，低温钎焊片，铟In合金焊料片，In97Ag3焊片，Au80Sn20 Solder Preform，铟片，铟TIM工艺，铟片封装技术，AI算力芯片封装，导热界面材料，低温合金焊片应用，低温合金焊片如何选择，无助焊剂焊片，器件封装焊料，预涂焊料盖板，预置焊片，箔状焊片，合金焊料

广州球友会qy电子科技有限公司是先进半导体连接材料制造商、电子封装解决方案给予商，我们可根据客户的要求定制专业配比的金、银、铜、锡、铟等焊料合金，加工成预成形焊片，给予微电子封装互连材料、微电子封装互连器件和第三代功率半导体封装材料系列产品，更多资讯请看www.ktybug.com，或关注微信公众号“球友会qy电子”。